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晶圓形貌測(cè)量設(shè)備

簡(jiǎn)要描述:WD4000晶圓形貌測(cè)量設(shè)備自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。能實(shí)現(xiàn)Wafer厚度、翹曲度、平面度、線粗糙度、總體厚度變化(TTV)及分析反映表面質(zhì)量的2D、3D參數(shù)。

  • 更新時(shí)間:2024-07-02
  • 產(chǎn)品型號(hào):WD4000
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 訪  問  量:632

詳細(xì)介紹

品牌CHOTEST/中圖儀器

WD4000晶圓形貌測(cè)量設(shè)備采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測(cè)量雙向掃描技術(shù),完成非接觸式掃描并建立表面3D層析圖像,實(shí)現(xiàn)Wafer厚度、翹曲度、平面度、線粗糙度、總體厚度變化(TTV)及分析反映表面質(zhì)量的2D、3D參數(shù)。廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測(cè)、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業(yè)。

晶圓形貌測(cè)量設(shè)備

WD4000晶圓形貌測(cè)量設(shè)備自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。

1、使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等參數(shù),同時(shí)生成Mapping圖;

2、采用白光干涉測(cè)量技術(shù)對(duì)Wafer表面進(jìn)行非接觸式掃描同時(shí)建立表面3D層析圖像,顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖,高效分析表面形貌、粗糙度及相關(guān)3D參數(shù);

3、基于白光干涉圖的光譜分析儀,通過數(shù)值七點(diǎn)相移算法計(jì)算,達(dá)到亞納米分辨率測(cè)量表面的局部高度,實(shí)現(xiàn)膜厚測(cè)量功能;

4、紅外傳感器發(fā)出的探測(cè)光在Wafer不同表面反射并形成干涉,由此計(jì)算出兩表面間的距離(即厚度),可適用于測(cè)量BondingWafer的多層厚度。該傳感器可用于測(cè)量不同材料的厚度,包括碳化硅、藍(lán)寶石、氮化鎵、硅等。

晶圓形貌測(cè)量設(shè)備

WD4000晶圓測(cè)量系統(tǒng)可測(cè)各類包括從光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面,從納米到微米級(jí)別工件的厚度、粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等,提供依據(jù)SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大國(guó)內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)共計(jì)300余種2D、3D參數(shù)作為評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。


測(cè)量功能

1、厚度測(cè)量模塊:厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等;

2、顯微形貌測(cè)量模塊:粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、面積、體積等。

3、提供調(diào)整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能。其中調(diào)整位置包括圖像校平、鏡像等功能;糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能;濾波包括去除外形、標(biāo)準(zhǔn)濾波、過濾頻譜等功能;提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能。

4、提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結(jié)構(gòu)分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺(tái)階高、距離、角度、曲率等特征測(cè)量和直線度、圓度形位公差評(píng)定等;粗糙度分析包括國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數(shù);結(jié)構(gòu)分析包括孔洞體積和波谷。


應(yīng)用場(chǎng)景

1、無圖晶圓厚度、翹曲度的測(cè)量

晶圓形貌測(cè)量設(shè)備

通過非接觸測(cè)量,將晶圓上下面的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV),有效保護(hù)膜或圖案的晶片的完整性。


2、無圖晶圓粗糙度測(cè)量

晶圓形貌測(cè)量設(shè)備

Wafer減薄工序中粗磨和細(xì)磨后的硅片表面3D圖像,用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測(cè)量數(shù)值的穩(wěn)定性來反饋加工質(zhì)量。在生產(chǎn)車間強(qiáng)噪聲環(huán)境中測(cè)量的減薄硅片,細(xì)磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次測(cè)量數(shù)據(jù)計(jì)算重復(fù)性為0.046987nm,測(cè)量穩(wěn)定性良好。


部分技術(shù)規(guī)格

品牌CHOTEST中圖儀器
型號(hào)WD4000
厚度和翹曲度測(cè)量系統(tǒng)
可測(cè)材料砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍(lán)寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等
測(cè)量范圍150μm~2000μm
掃描方式Fullmap面掃、米字、自由多點(diǎn)
測(cè)量參數(shù)厚度、TTV(總體厚度變 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、線粗糙度
三維顯微形貌測(cè)量系統(tǒng)
測(cè)量原理白光干涉
干涉物鏡10X(2.5X、5X、20X、50X,可選多個(gè))
可測(cè)樣品反射率0.05%~100
粗糙度RMS重復(fù)性0.005nm
測(cè)量參數(shù)顯微形貌 、線/面粗糙度、空間頻率等三大類300余種參數(shù)
膜厚測(cè)量系統(tǒng)
測(cè)量范圍90um(n= 1.5)
景深1200um
最小可測(cè)厚度0.4um
紅外干涉測(cè)量系統(tǒng)
光源SLED
測(cè)量范圍37-1850um
晶圓尺寸4"、6"、8"、12"
晶圓載臺(tái)防靜電鏤空真空吸盤載臺(tái)
X/Y/Z工作臺(tái)行程400mm/400mm/75mm


懇請(qǐng)注意:因市場(chǎng)發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要,本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會(huì)根據(jù)實(shí)際情況隨時(shí)更新或修改,恕不另行通知,不便之處敬請(qǐng)諒解。

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